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变压器行业发展可以说直接受到国内外相关电网的建设规模的影响。随着中国经济持续高速发展，电力需求持续快速增长。2011年全国全社会用电量4.69万亿千瓦时，比上年增长11.7%，消费需求依然旺盛。人均用电量3483千瓦时，比上年增加351千瓦时，超过世界平均水平。中国电力建设的迅猛发展带动了变压器制造行业的发展。2011年，变压器的产量达14.3亿千伏安，同比增长6.86%。2011年，变压器制造行业规模以上(主营业务收入2000万元以上)企业有1461家;实现销售额2901.40亿元，实现利润总额166.08亿元，资产规模2638.40亿元，产品销售利润为339.72亿元。 因此，在2012-2020这段时间内，我国压器市场将在国内电网建设及改造的直接影响之下，步一个较高速的发展期，产业规模还将持续增大。
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根据电力设备试验规程规定，100kVA以下的变压器接地点接地电阻不大于10，100kVA以上的变压器接地点接地电阻不大于4。但由于设计施工技术的过失或外力的破坏，常常导致变压器接地点接地电阻升高和接地线断线故障发生，造成供电异常，用户电器设备烧毁，给供电单位的运行管理带来一定困难。为此我们必须采取一定的措施，变压器中性线与接地线断线和接地电阻升高造成的危害。这时将有一个电流经保护器、大地流入变压器接地点，此电流将使保护器动作，而将接地点切除，防止了大地电位的升高。另外，加装保护器后，当人接触相线时，保护器也会动作，从而保障了人员的人身。在变压器的中性线上选取适当的位置将变压器的中性线多点重复接地。
旁路晶体管是一种低压差变压器，其中的旁路元件就是PNP晶体管。它的输入输出压差一般在0.3到0.7V之间。因为压差低，因此这种PNP旁路晶体管变压器非常适合电池供电的嵌入式设备使用。不过它的大接地电流会缩短电池的寿命。另外，PNP晶体管增益较低，会形成数毫安的不稳定接地电流。由于采用公共发射极结构，因此它的输出阻抗比较高，这意味着需要外接特定范围容量和等效串联电阻(ESR)的电容才能够稳定工作。由于P沟道FET变压器具有较低的压差和接地电流，因此目前被广泛用于许多电池供电的设备。该类型变压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种变压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅极电流”很低。然而，由于 P沟道FET具有相对大的栅极电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET变压器非常适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种变压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET变压器需要充电泵来建立栅极偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%。
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